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J-GLOBAL ID：200903022875598634

超電導素子

Inventor： 福家 浩之 ,  山崎 六月 ,  寺島 喜昭 ,  工藤 由紀 ,  芳野 久士
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997174554
Publication number (International publication number)：1999027015
Application date： Jun. 30, 1997
Publication date： Jan. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】Q値が高く、共振周波数が可変な共振器を提供すること。【解決手段】LaAlO3 単結晶基板11上にYBCO超電導膜からなるストリップ導体12aを設けるとともに、LaAlO3 単結晶基板11の下にYBCO超電導膜からなるグランドプレーン12bを設けてなる超電導共振素子と、この超電導共振素子に設けられ、印加電圧に従って誘電率が変化するSrTiO3 膜13と、SrTiO3 膜13に電圧を印加するための櫛状電極14a〜14dとを有する共振器において、ストリップ導体12aと櫛状電極14a〜14dとをこれらが重ならないように配置する。

Claim (excerpt)：

基板上に超電導体からなるストリップ導体が設けられ、前記基板の上または下にグランドが設けられてなる超電導共振素子と、この超電導共振素子に設けられ、印加電圧に従って誘電率が変化する誘電体部材と、この誘電体部材に電圧を印加するための電極とを具備してなる超電導素子であって、素子の上から見た場合における、前記ストリップ導体と前記電極とが重なる領域の面積が、前記ストリップ導体の面積の20%以下であることを特徴とする超電導素子。

IPC (3)：

H01P 7/08 ZAA ,  H01L 39/00 ZAA ,  H01P 3/08 ZAA

FI (3)：

H01P 7/08 ZAA ,  H01L 39/00 ZAA Z ,  H01P 3/08 ZAA

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• マイクロ波共振器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-155880   Applicant：住友電気工業株式会社
• 特開昭63-128618
  
• 特性変調可能な超電導マイクロ波素子構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-110488   Applicant：住友電気工業株式会社, ユニヴァーシティオブメリーランド