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J-GLOBAL ID：200903023000059230

微小真空素子およびその製造方法

Inventor：
山田 恵三

About 山田 恵三


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992105084
Publication number (International publication number)：1995021902
Application date： Apr. 24, 1992
Publication date： Jan. 24, 1995
Summary：
【要約】【目的】 微小真空素子のカソードのテーパエッジ形状を再現性良くしかも均一に形成する。またこの構造を用いた新しい発光素子を提供する。【構成】 出発基板としてSOI基板を用い、基板上の(100)シリコン単結晶層1をヒドラジン等の異方性エッチング液でエッチングして酸化膜2まで達する(111)面を持つテーパエッジ形状の孔を形成し、この孔の中の絶縁膜をエッチングして空隙9を形成する。このエッチングは極めて再現性が良くしかも均一にできる。その後再度シリコン1をエッチングしてカソード6、ゲート7として分離し基板3をアノード8とし、微小真空素子とする。空隙9に蛍光体を推積すると発光素子になる。透過率の異なる反射鏡を発光領域を挟むように配置して共振器を構成すればレーザ発振が可能となる。
Claim (excerpt)：
少なくとも表面が絶縁体である支持基板の上にテーパエッジ形状の半導体カソードが形成され、しかもエッジ近傍の前記絶縁体が除かれていることを特徴とする微小真空素子。
IPC (4)：
H01J 1/30 ,  H01J 9/02 ,  H01J 29/46 ,  H01S 3/06
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 特開平3-252025
  • 平面型電界放出デバイス
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-002435   Applicant：横河電機株式会社
  • 特開平3-225725
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