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J-GLOBAL ID：200903023039730915

自励発振型半導体レーザ素子

Inventor： 庄野 昌幸 ,  本多 正治 ,  池上 隆俊 ,  別所 靖之 ,  茨木 晃 ,  吉年 慶一
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 岡田 敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994109896
Publication number (International publication number)：1995321395
Application date： May. 24, 1994
Publication date： Dec. 08, 1995
Summary：

【要約】【目的】 安定に自励発振する自然超格子構造を取り得る半導体材料からなる可飽和光吸収層を備えた自励発振型半導体レーザ素子を提供することを目的とする。【構成】 可飽和光吸収層5、15の両面に、アンドープの不純物拡散防止層4、6、14、16を設けた。

Claim (excerpt)：

可飽和光吸収層を備えた自励発振型半導体レーザ素子において、前記可飽和光吸収層の両面にブロッキング層を設けたことを特徴とする自励発振型半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-094239   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開昭61-084891
  
• 特開平1-251684