3次元量子閉じ込めを利用した半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高橋敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995217466
Publication number (International publication number)：1997064476
Application date： Aug. 25, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】量子箱を有する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板上に、成長温度を第1の温度としてIII-V族化合物半導体からなる半導体下層を形成する工程と、前記半導体下層の表面上に、3次元的に量子閉じ込めを行うIII-V族化合物半導体からなる量子箱を形成する工程と、前記量子箱の表面を覆うように前記基板上の全面に、成長温度を前記第1の温度よりも低い第2の温度として、III-V族化合物半導体からなる半導体上層を形成する工程とを含む。

Claim (excerpt)：

基板上に、成長温度を第1の温度としてIII-V族化合物半導体からなる半導体下層を形成する工程と、前記半導体下層の表面上に、3次元的に量子閉じ込めを行うIII-V族化合物半導体からなる量子箱を形成する工程と、前記量子箱の表面を覆うように前記基板上の全面に、成長温度を前記第1の温度よりも低い第2の温度として、III-V族化合物半導体からなる半導体上層を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01S 3/18 , H01L 29/06 , H01L 29/66

FI (3)：

H01S 3/18 , H01L 29/06 , H01L 29/66

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体量子箱の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-041029 Applicant：大同特殊鋼株式会社

Return to Previous Page