Pat
J-GLOBAL ID:200903023055391063

半導体素子製造用湿式エッチング装置及びこれを用いた半導体素子の湿式エッチング方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 服部 雅紀
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999176690
Publication number (International publication number):2000031113
Application date: Jun. 23, 1999
Publication date: Jan. 28, 2000
Summary:
【要約】【課題】 エッチング工程の遂行時、エッチング液の濃度を一定に維持し、エッチング率が向上させて工程制御及び生産性が向上させる半導体素子製造用湿式エッチング装置及びこれを利用した半導体素子の湿式エッチング方法を提供する。【解決手段】 半導体素子の特定膜を湿式エッチングするために脱イオン水で希釈したケミカルを収容することができ、その上側が開放されたバス20と、バス20に収容されたケミカルを加熱することができるヒータ22と、ヒータ22の加熱によって蒸発した脱イオン水を凝縮させることができる冷却水ライン28を有しバス20の上側の開放部を覆うカバー24とを備える。
Claim (excerpt):
半導体素子の特定膜を湿式エッチングするために脱イオン水で希釈したケミカルを収容可能であって、上側が開放されたバスと、前記バスに収容されたケミカルを加熱することが可能なヒータと、前記ヒータの加熱によって蒸発した前記脱イオン水を凝縮することが可能な冷却手段を有し、前記バスの上側の開放部に被せられるカバーと、を備えることを特徴とする半導体素子製造用湿式エッチング装置。
FI (2):
H01L 21/306 J ,  H01L 21/306 D
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
  • 特開平2-096334
  • 基板処理装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平7-333425   Applicant:大日本スクリーン製造株式会社
  • 特開平4-103781
Show all

Return to Previous Page