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J-GLOBAL ID:200903086696451297

基板処理装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 吉田 茂明 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995333425
Publication number (International publication number):1997181041
Application date: Dec. 21, 1995
Publication date: Jul. 11, 1997
Summary:
【要約】【課題】 補充液の突沸が起こらず、なおかつ補充液が処理液中へ十分に拡散するとともに処理液の温度低下が少ない基板処理装置を提供する。【解決手段】 純水PWは純水注入ノズル10aの複数の純水吹出し口Haから排出され、その直下の内槽1の内側で内槽1の側面1aの上端である溢流部20a近傍の燐酸溶液PAの表面に至り、燐酸溶液PAと混ざりながら外槽2の樋部30aに至り、外槽2の貯留部30dに流れ込む。したがって、純水PWが内槽1内の燐酸溶液PA内部に至ることがないため純水PWの突沸が起こらず、かつ燐酸溶液PAが内槽1から外槽2に溢流する際に燐酸溶液PAと純水PWが攪拌されるため純水PWが燐酸溶液PA中へ十分に拡散し、さらに燐酸溶液PA表面から直接水分が蒸発することがないので燐酸溶液PAの温度低下が少ない。
Claim (excerpt):
複数種の液を組み合わせてなる処理液を処理槽に貯留し、前記処理液の温度を前記複数種の液のうちの少なくとも一種の液の沸点以上に加熱して、前記処理液中に被処理基板を浸漬する基板処理装置において、前記処理液を貯留し、上端が前記処理液の溢れ出る溢流部とされた内槽と、前記内槽の前記溢流部から溢れ出た前記処理液を受ける外槽と、前記外槽で受けた前記処理液を前記内槽に循環させる処理液循環手段と、前記複数種の液のうち、前記処理液の温度以下の沸点を持つ液を補充液として前記内槽において前記溢流部直上または溢流部近傍に供給する補充液供給手段と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。
IPC (3):
H01L 21/306 ,  B08B 3/04 ,  H01L 21/304 341
FI (3):
H01L 21/306 J ,  B08B 3/04 Z ,  H01L 21/304 341 T
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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