Pat
J-GLOBAL ID：200903023067060062
磁性メモリ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
二瓶 正敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996302425
Publication number (International publication number)：1998134560
Application date： Oct. 28, 1996
Publication date： May. 22, 1998
Summary：
【要約】【課題】 従来、GMR効果を利用した磁性メモリにおいては、磁性層の磁化容易軸が膜面内にあり、十分なS/Nを得るために、情報記録時に電流を流すワード線と直交させるために磁化容易軸の向きを制御することが困難であった。【解決手段】 磁性層を、垂直磁気異方性を有する磁性膜により形成する。
Claim (excerpt)：
非磁性層の上下両面に、磁気異方性を有する磁性層がそれぞれ積層され、前記各磁性層の磁化の方向により情報を記録する磁性メモリにおいて、前記磁性層が垂直磁気異方性を有する磁性膜により形成されていることを特徴とする、磁性メモリ。
IPC (2)：
FI (2)：
G11C 11/14 F
, H01F 10/08
Cited by applicant (2)
Cited by examiner (2)
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