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J-GLOBAL ID：200903023095242672
ニューロデバイス
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐藤 幸男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995025880
Publication number (International publication number)：1996204167
Application date： Jan. 20, 1995
Publication date： Aug. 09, 1996
Summary：
【要約】【目的】 小型で構成の簡単なニューロデバイスを提供する。【構成】 結合マトリクス3を構成するアモルファスシリコン層は、例えば多層膜であり、ドープしたn型、p型、あるいはドープしていないi型のa-Si:Hの薄い層が-pnpn-や-pini-のように積層されている。この多層膜に数10mW/cm2の光を数10秒間照射すると、その電気伝導度が大きくなる。この状態で光の照射をなくしても、電気伝導度が減少せず、この状態が非常に長い時間継続する。従って、結合マトリクス3に対し、例えば所定のパターンの光をマスクパターンを介して照射することにより、上部配線アレイ4と下部配線アレイ2との間の配線状態を形成することができる。この結果、アモルファスシリコン層に対して常に光パターンを照射しておく必要がなく、デバイス内に発光ダイオード等の光源を設ける必要がなくなる。
Claim (excerpt)：
基板と、当該基板上に設けられた下部配線アレイと、当該下部配線アレイ上に形成され、所定の光度以上の光パターンを照射した多層膜のアモルファスシリコン層から成る結合マトリクスと、当該結合マトリクス上に設けられた透明電極から成る上部配線アレイとにより構成されることを特徴とするニューロデバイス。
IPC (3)：
H01L 27/146
, H01L 31/0248
, H01L 49/00
H01L 27/14 C
, H01L 31/08 H
Cited by examiner (5)
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