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J-GLOBAL ID:200903023105150224

配線パターンの形成方法、回路基板の製造方法および遮光パターンの形成された透光体の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 須山 佐一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000326114
Publication number (International publication number):2002134878
Application date: Oct. 25, 2000
Publication date: May. 10, 2002
Summary:
【要約】【課題】 基板等の上に直接ファインパターンを形成できる配線パターンの形成方法、回路基板の製造方法および遮光パターンの形成された透光体の製造方法を提供すること。【解決手段】 基体上に、インクジェット装置を用いて、平均粒子径が100nm以下の金属微粒子を水または有機溶剤中に分散させた金属微粒子インクにより、回路パターンを描画し、次いで該基板を熱もしくは光線により処理して前記回路パターンに含まれる重合体または界面活性剤を分解揮散させて所望の膜厚の導体パターンとする。インクジェット装置を用いて直接パターンを描画するので設備費や生産コストを安価にすることができる。
Claim (excerpt):
基体上に、インクジェット装置を用いて、平均粒子径が100nm以下の金属微粒子を水または有機溶剤中に分散させた金属微粒子インクにより、回路パターンを描画し、次いで該基板を熱もしくは光線により処理して前記回路パターンに含まれる重合体または界面活性剤を分解揮散させて所望の膜厚の導体パターンとすることを特徴とする配線パターンの形成方法。
IPC (4):
H05K 3/10 ,  B41J 2/01 ,  G03F 7/20 501 ,  H05K 3/24
FI (5):
H05K 3/10 D ,  G03F 7/20 501 ,  H05K 3/24 C ,  B41J 3/04 101 Y ,  B41J 3/04 101 Z
F-Term (24):
2C056FB05 ,  2C056FC01 ,  2H097LA09 ,  5E343AA07 ,  5E343AA18 ,  5E343AA34 ,  5E343BB22 ,  5E343BB23 ,  5E343BB24 ,  5E343BB25 ,  5E343BB38 ,  5E343BB39 ,  5E343BB40 ,  5E343BB43 ,  5E343BB44 ,  5E343BB48 ,  5E343BB49 ,  5E343BB72 ,  5E343BB80 ,  5E343DD14 ,  5E343DD33 ,  5E343EE42 ,  5E343ER33 ,  5E343GG08
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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