Pat
J-GLOBAL ID：200903023112847931
半導体レーザ素子およびその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
福島 祥人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000047094
Publication number (International publication number)：2001237492
Application date： Feb. 24, 2000
Publication date： Aug. 31, 2001
Summary：
【要約】【課題】 平坦性が良好な共振器端面を有し、特性および信頼性の向上が図られた半導体レーザ素子およびその製造方法を提供することである。【解決手段】 半導体レーザ素子100は、サファイア基板1上に各層2〜10が順に形成されてなる。この半導体レーザ素子100の共振器長の方向は〈01-10〉方向である。各層4〜10の〈01-10〉方向の端面には、アンドープのGaNからなりかつ(01-10)面を表面とするGaN端面再成長層13が形成されている。このGaN端面再成長層13の(01-10)面が共振器端面を構成する。
Claim (excerpt)：
端面を有しかつ発光層を含む第1の窒化物系半導体層が基板上に形成されるとともに、前記第1の窒化物系半導体層の端面に第2の窒化物系半導体層が形成され、前記第2の窒化物系半導体層の表面が共振器端面を構成することを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (11)：
5F073AA11
, 5F073AA51
, 5F073AA74
, 5F073AA85
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073CB07
, 5F073DA05
, 5F073DA25
, 5F073DA31
, 5F073DA35
Cited by examiner (2)
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窒化物半導体レ-ザ装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平11-098517
Applicant：松下電子工業株式会社
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半導体レーザ素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-163666
Applicant：シャープ株式会社
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