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J-GLOBAL ID：200903053568313684

窒化物半導体レ-ザ装置

Inventor： 伊藤 国雄 ,  油利 正昭 ,  石田 昌宏 ,  橋本 忠朗
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999098517
Publication number (International publication number)：2000049410
Application date： Apr. 06, 1999
Publication date： Feb. 18, 2000
Summary：

【要約】【課題】寿命が長い高信頼性を有する窒化物半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 窒化物半導体レーザダイオードのレーザ端面に設けられた保護層は、窒化物レーザダイオードが発振する光に対して透明であるAl1-x-y-zGaxInyBzN(0≦x、y、z≦1、且つ、0≦x+y+z≦1)からなる。

Claim (excerpt)：

窒化物半導体レーザダイオードと、前記窒化物半導体レーザダイオードのレーザ端面に設けられた保護層とを有し、前記保護層は、前記窒化物レーザダイオードが発振する光に対して透明であるAl1-x-y-zGaxInyBzN(0≦x、y、z≦1、且つ、0≦x+y+z≦1)からなる窒化物半導体レーザ装置。

IPC (2)：

H01S 5/028 ,  H01S 5/343

FI (2)：

H01S 3/18 618 ,  H01S 3/18 677

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開平1-115191
  
• 窒化アルミニウムの製造方法および半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-089215   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体レーザ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-009813   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体レーザー
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-190669   Applicant：株式会社リコー, リコー応用電子研究所株式会社
• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-199205   Applicant：アンリツ株式会社
• 特開昭61-258489