ダイヤモンド半導体の製造方法及びダイヤモンド半導体

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：酒井正己 , 加々美紀雄 , 小松純 , 小松秀岳
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005121854
Publication number (International publication number)：2006303131
Application date： Apr. 20, 2005
Publication date： Nov. 02, 2006
Summary：

【課題】 Pドープのn型ダイヤモンドを{100}基板上に成長させるダイヤモンド半導体の安価な製造方法を提供する。【解決手段】ダイヤモンド基板上にガス中の窒素濃度/炭素濃度を0.1%以上5.0%以下の窒素添加条件で0.1μm以上の膜厚のダイヤモンド成長を行ったあと、続けて、燐添加条件でのダイヤモンド成長を行うことを特徴とするダイヤモンド半導体の製造方法及びそれによって得られたダイヤモンド半導体である。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

ダイヤモンド基板上にガス中の窒素濃度/炭素濃度を0.1%以上5.0%以下の窒素添加条件で0.1μm以上の膜厚のダイヤモンド成長を行ったあと、続けて、燐添加条件でのダイヤモンド成長を行うことを特徴とするダイヤモンド半導体の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 , C30B 29/04

FI (3)：

H01L21/205 , C30B29/04 P , C30B29/04 W

F-Term (17)：

4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077BA03 , 4G077DB19 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077HA06 , 4G077TK04 , 4G077TK06 , 5F045AA09 , 5F045AB07 , 5F045AC08 , 5F045AC19 , 5F045AD12 , 5F045AE23 , 5F045AF02 , 5F045BB02

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

The effect of nitrogen addition during high-rate homoepitaxial growth of diamond by microwave plasma

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