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J-GLOBAL ID:200903023267073045
半導体集積回路装置及びそれを用いた非接触型電子装置
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
筒井 大和
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006117852
Publication number (International publication number):2007293423
Application date: Apr. 21, 2006
Publication date: Nov. 08, 2007
Summary:
【課題】非接触型電子装置からリーダ・ライタへのデータ送信においてチップに搭載されるレギュレータ回路の電圧抑制動作が、負荷変調電流によるチップ全体の電流変化を減衰してしまい、リーダ・ライタが非接触型電子装置の送信データを受信できなかった。【解決手段】非接触型電子装置に供給される電力によって、電源回路B5に搭載されるレギュレータ機能の電圧抑制特性を変化させ、非接触型電子装置に供給される電力が小さい場合には、アンテナに流れる電流に対するアンテナ端子(LA-LB)間電圧の電圧変化量を大きくし、非接触型電子装置に供給される電力が大きい場合には、アンテナに流れる電流に対するアンテナ端子(LA-LB)間電圧の電圧変化量を小さくすることで、遠距離通信時における負荷変調回路(送信回路B8)の電流変化に対する全体消費電流の電流変化を大きくする。【選択図】図6
Claim (excerpt):
アンテナが接続される第1及び第2のアンテナ端子と、
前記第1及び第2のアンテナ端子間の信号の整流及び電圧制御を行う電源回路と、
前記第1及び第2のアンテナ端子間の信号の変調を行う負荷変調回路とを有し、
前記電源回路の出力電圧が所定の電圧に達して電圧抑制動作が働いている領域における前記第1及び第2のアンテナ端子間の電流-電圧特性は、
第1の電流領域における電圧変化勾配が、前記第1の電流領域よりも高電流の第2の電流領域における電圧変化勾配よりも大きいことを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2):
FI (3):
G06K19/00 H
, G06K19/00 J
, H04B5/02
F-Term (16):
2C005MA22
, 2C005MA35
, 2C005NA09
, 2C005NB03
, 2C005QA15
, 5B035AA00
, 5B035BB09
, 5B035CA12
, 5B035CA23
, 5K012AB02
, 5K012AC06
, 5K012AC07
, 5K012AC09
, 5K012AE02
, 5K012AE13
, 5K012BA02
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
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半導体集積回路装置と非接触型電子装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-088800
Applicant:株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
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半導体集積回路装置および非接触型電子装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-123390
Applicant:株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
Cited by examiner (2)
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非接触情報記録媒体
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-292557
Applicant:株式会社東芝
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半導体集積回路装置および非接触型電子装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-123390
Applicant:株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
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