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J-GLOBAL ID：200903023284421251

熱処理評価用ウェ-ハおよびこれを用いた熱処理評価方法

Inventor：
吉見 年弘

About 吉見 年弘

, 
エム・ビ-・シャバニ-

About エム・ビ-・シャバニ-


Applicant, Patent owner：
三菱マテリアルシリコン株式会社

About 三菱マテリアルシリコン株式会社

, 
三菱マテリアル株式会社

About 三菱マテリアル株式会社


Agent (1)： 安倍 逸郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997038499
Publication number (International publication number)：1998223713
Application date： Feb. 05, 1997
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：
【要約】【課題】 高感度で、しかも容易に熱処理プロセスの高精度な汚染評価ができる熱処理評価用ウェーハおよびこれを用いた熱処理評価方法を提供する。【解決手段】 シリコンウェーハ11の表面に順次積層されたゲッタリング層12とSiO2膜層13を有するシリコンウェーハ11を、熱処理評価の対象熱プロセスの加熱炉へ投入し、テスト熱処理する。この際、金属不純物の拡散速度差により、ある金属不純物はゲッタリング層12に捕獲され、別の金属不純物はSiO2膜層13に捕獲される。その後、各層12、13を溶かして、両層12、13に拡散された金属不純物を分析して、加熱炉の汚染状態を評価する。これにより、高感度で、しかも容易に熱処理プロセスの高精度な汚染評価が可能となる。
Claim (excerpt)：
酸素濃度が1.3×1018atoms/cm3以下で、かつ表面が鏡面加工されたシリコンウェーハと、該シリコンウェーハの少なくとも片面に形成されて、熱処理過程時にウェーハ内部へ拡散する金属不純物を捕獲するゲッタリング層と、該ゲッタリング層の表面に形成されたSiO2膜層と、を備えた熱処理評価用ウェーハ。
IPC (4)：
H01L 21/66 ,  G01N 1/28 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/322
FI (4)：
H01L 21/66 L ,  H01L 21/324 T ,  H01L 21/322 G ,  G01N 1/28 X
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (4)
  • ポリシリコン中の不純物の検出方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-172890   Applicant：東京エレクトロン株式会社
  • 特開平4-321222
  • 不純物検出方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-172187   Applicant：株式会社東芝
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