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J-GLOBAL ID：200903023392783666

半導体発光素子

Inventor： 兼岩 進治
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 佐々木 晴康 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000059879
Publication number (International publication number)：2000261037
Application date： Oct. 19, 1994
Publication date： Sep. 22, 2000
Summary：

【要約】【課題】 半導体発光素子において、光の有効利用を図り、さらに基板上に形成する半導体層の結晶性を向上させた、高効率発光が可能な半導体発光素子を得ることを目的とする。【解決手段】 本発明の半導体発光素子は、基板上に形成されたn型GaN層と、該n型GaN層上のn型AlGaNクラッド層と、該n型AlGaNクラッド層上の活性層と、該活性層上のp型AlGaNクラッド層と、該p型AlGaNクラッド層上のp型GaNコンタクト層を含む半導体発光素子において、上記n型GaN層と、上記n型AlGaNクラッド層の間に、超格子構造が形成されてなることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板上に形成されたn型GaN層と、該n型GaN層上のn型AlGaNクラッド層と、該n型AlGaNクラッド層上の活性層と、該活性層上のp型AlGaNクラッド層と、該p型AlGaNクラッド層上のp型GaNコンタクト層を含む半導体発光素子において、上記n型GaN層と、上記n型AlGaNクラッド層の間に、超格子構造が形成されてなることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01S 5/323

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-253740   Applicant：シャープ株式会社