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J-GLOBAL ID:200903023426085947
半導体装置の製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993132147
Publication number (International publication number):1994342873
Application date: Jun. 02, 1993
Publication date: Dec. 13, 1994
Summary:
【要約】 (修正有)【構成】半導体素子101を樹脂で封止した半導体装置において、半導体素子の裏面が樹脂中より露出するように樹脂及び半導体素子の一部を切削除去し、露出した半導体素子の裏面に放熱板106をペースト107で接着する。さらに半導体装置101をプリント基板112に実装する場合は、半導体装置101の底面をプリント基板112上のダイパッド113にペースト107bにより接着する。【効果】半導体素子で生じた熱を効率よく放熱板を通して放熱出来る為、半導体素子の信頼性を高めることが出来る。また、半導体装置の機能に不要な樹脂等を切削除去する事により半導体装置の薄型化、軽量化に寄与することが出来る。
Claim (excerpt):
基板上に複数の半導体素子をフェイスダウンの状態で接続する工程と、前記基板に外部導出リードを接続する工程と、前記基板と前記半導体素子と前記外部導出リードの少なくとも一部とを樹脂により封止する工程と、前記樹脂の一部と前記半導体素子の一部とを除去する工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4):
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 23/40
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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特開平2-306654
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特開平1-270252
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マルチチップモジュール
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-034002
Applicant:日本電気株式会社
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特開平2-306654
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特開平1-270252
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