高密度なサブリソグラフィ構造をつくる方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岡田次生 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003084870
Publication number (International publication number)：2003324066
Application date： Mar. 26, 2003
Publication date： Nov. 14, 2003
Summary：

【要約】【課題】リソグラフィシステムの最小分解能より狭い幅を有するサブリソグラフィサイズ構造を形成する方法を提供すること。【解決手段】高密度なサブリソグラフィ構造をつくる方法が開示される。本方法では、基板の水平な面および垂直な側壁面(14、16)上にスペーサ材料(31)を堆積し、前記スペーサ材料(31)が前記最小の構造サイズ(λ)未満の所定の厚み(tH、tV)になるまで堆積を行なう。前記スペーサ材料(31)を異方性エッチングし、前記水平な面(14)から前記スペーサ材料(31)を除去することで、前記最小の構造サイズ(λ)内の構造の密度を高める。選択的に、前記堆積することと前記異方性エッチングすることとを繰り返し、前記最小の構造サイズ(λ)内の前記構造の密度をさらに高めることとを含む。

Claim (excerpt)：

高密度なサブリソグラフィ構造をつくる方法であって、基板上にマスク層を堆積することと、前記マスク層をパターニングし、パターニングに用いられるリソグラフィシステムの最小分解能以上である最小構造サイズ(λ)を有する画像を該マスク層の上に定義することと、前記基板をエッチングして前記画像を前記基板に転写し、最小構造サイズ(λ)であり、水平な面および垂直な側壁面をもつ構造を該基板上に定義することと、前記水平な面および前記垂直な側壁面上にスペーサ材料を堆積し、前記スペーサ材料が前記最小構造サイズ(λ)未満の所定の厚み(tH、tV)になるまで堆積を行なうことと、前記スペーサ材料を異方性エッチングし、前記水平な面から前記スペーサ材料を選択的に除去することで、前記スペーサ材料が前記垂直な側壁面上に残り、前記水平な面上に複数のサブリソグラフィスペーサを定義することにより、前記最小構造サイズ(λ)内の構造の密度を高め、前記サブリソグラフィスペーサを前記最小構造サイズ(λ)未満の厚み(tV)にすることと、選択的に、前記堆積することと前記異方性エッチングすることとを繰り返し、以前に定義された前記サブリソグラフィスペーサ上に、前記最小構造サイズ(λ)未満の厚み(tH、tV)を有するサブリソグラフィスペーサをさらに定義することによって、前記最小構造サイズ(λ)内の前記構造の密度をさらに高めることとを含む方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 521 , H01L 21/3065

FI (3)：

G03F 7/20 521 , H01L 21/30 502 D , H01L 21/302 105 A

F-Term (11)：

5F004DB02 , 5F004DB03 , 5F004DB08 , 5F004DB09 , 5F004DB10 , 5F004EA12 , 5F004EB03 , 5F004FA08 , 5F046AA25 , 5F046BA10 , 5F046LA18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

特開平3-270227
特開平3-257825
特許第6335257号

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Cited by examiner (9)

特開平3-270227
特開平3-270227
特開平3-257825

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