Pat
J-GLOBAL ID：200903023447942220
半導体装置及びその装置に用いる半導体素子
Inventor：
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996285528
Publication number (International publication number)：1998135513
Application date： Oct. 28, 1996
Publication date： May. 22, 1998
Summary：
【要約】【課題】 高精細化配線が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】 下地と第1化合物半導体層との間に設けられた半絶縁性化合物半導体層と、第1化合物半導体層から半絶縁性化合物半導体層の表面中に達していてそれぞれ同数の拡散領域20を含むブロック領域23(23a,23b,23c)に分離するための複数の分離領域22と、各ブロック領域から1つづつ選ばれた拡散領域に対して共通の1つの電極配線が対応する関係で、全てのブロック領域内の拡散領域に対して電極26を介して接続された複数の電極配線32(32a,32b,32c,32d)とを設けて構成する。
Claim (excerpt)：
下地上に第1導電型の第1化合物半導体層と、該第1化合物半導体層中に発光あるいは受光層として設けられた第2導電型の拡散領域と、該拡散領域と電気的に接続されている第2導電型用電極とを具える半導体装置において、前記下地と前記第1化合物半導体層との間に設けられた半絶縁性化合物半導体層と、前記第1化合物半導体層から該半絶縁性化合物半導体層の表面中に達していてそれぞれ同数の前記拡散領域を含むブロック領域に分離するための複数の分離領域と、各ブロック領域から1つづつ選ばれた前記拡散領域に対して共通の1つの電極配線が対応する関係で、全ての前記ブロック領域内の前記拡散領域に対して前記電極を介して接続された複数の電極配線とを設けて成ることを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
FI (3)：
H01L 33/00 A
, H01L 33/00 E
, H01L 31/10 H
Cited by examiner (7)
Show all
Return to Previous Page
