Pat

J-GLOBAL ID：200903023482964040

熱電変換素子の製造方法

Inventor： 丹治 雍典 ,  増本 健 ,  佐藤 利三郎 ,  中川 康昭 ,  久保木 實 ,  金子 武次郎
Applicant, Patent owner： 株式会社トーキン ,  佐藤 利三郎 ,  増本 健
Agent (1)： 後藤 洋介 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995107634
Publication number (International publication number)：1996306969
Application date： May. 01, 1995
Publication date： Nov. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】 単結晶のもつ優れた特性を生かすことができ、かつ、破壊されにくい熱電変換素子を製造する方法を提供する。【構成】 本発明は、半導体化合物を石英管アンプルに真空封入して溶解凝固させて半導体化合物塊を作る工程と、前記半導体化合物塊を粉砕して粉砕粒子1を作る工程と、前記粉砕粒子1を複数個の石英管アンプル2に真空封入する工程と、前記粉砕粒子1を真空封入した複数個の石英管アンプル2をルツボ3に挿入する工程と、このルツボ3を炉に配置して前記粉砕粒子1を加熱して融解した後に凝固して結晶C面を成長させて熱電変換素子を作る工程とを有する。

Claim (excerpt)：

半導体化合物を石英管アンプルに真空封入して溶解凝固させて半導体化合物塊を作る工程と、前記半導体化合物塊を粉砕して粉砕粒子を作る工程と、前記粉砕粒子を複数個の石英管アンプルに真空封入する工程と、前記粉砕粒子を真空封入した複数個の石英管アンプルをルツボに挿入する工程と、このルツボを炉に配置して前記粉砕粒子を加熱して融解した後に凝固して結晶C面を成長させて熱電変換素子を作る工程とを有することを特徴とする熱電変換素子の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 熱電気変換装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-290133   Applicant：株式会社トーキン, 増本健
• 1-lll-VI2 族化合物単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-244928   Applicant：財団法人電気磁気材料研究所