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J-GLOBAL ID：200903023516249337

プラズマ処理装置

Inventor： 石井 信雄 ,  小林 保男 ,  森本 保 ,  安藤 真 ,  後藤 尚久
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社 ,  安藤 真 ,  後藤 尚久
Agent (1)： 大川 晃
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999023454
Publication number (International publication number)：2000223298
Application date： Feb. 01, 1999
Publication date： Aug. 11, 2000
Summary：

【要約】【課題】 プラズマ処理装置において、平面アンテナ部材の中心部に対向する処理空間の電界が強くなる状態を緩和すると共に、プラズマ形成領域におけるプラズマ密度の不均一性を緩和する。【解決手段】 マイクロ波発生器50にて発生したマイクロ波は導波管52により平面アンテナ部材44に供給される。平面アンテナ部材44には、互いの間隔がマイクロ波の導波管52内における管内波長より短く、かつそれぞれの長さが前記管内波長の1/2より短い複数のスリット60が形成されている。これらのスリットは、軸対称性を有しないパターンで平面アンテナ部材44の中心部以外の領域に配置されている。

Claim (excerpt)：

被処理体を載置する載置台を内部に設けた気密な処理容器と、マイクロ波発生手段と、このマイクロ波発生手段が発生したマイクロ波を前記処理容器へ導入するマイクロ波導入手段と、このマイクロ波導入手段に接続され、かつ前記載置台に対向して配置された平面アンテナ部材とを備えたプラズマ処理装置であって、前記平面アンテナ部材には、互いの間隔が前記マイクロ波導入手段内におけるマイクロ波の波長より短く、かつそれぞれの長さが前記波長の1/2より短い複数のスロットが、軸対称性を有しないパターンで前記平面アンテナ部材の中心部以外の領域に配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/511 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

FI (6)：

H05H 1/46 B ,  C23C 16/50 E ,  C23F 4/00 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 B

F-Term (24)：

4K030FA02 ,  4K030KA15 ,  4K057DA11 ,  4K057DB06 ,  4K057DD01 ,  4K057DE06 ,  4K057DE08 ,  4K057DM29 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01 ,  5F004AA01 ,  5F004BB14 ,  5F004BD01 ,  5F004BD03 ,  5F004BD04 ,  5F004DA01 ,  5F004DA16 ,  5F004DB01 ,  5F045AA09 ,  5F045DP04 ,  5F045EB02 ,  5F045EB03 ,  5F045EH02 ,  5F045EH03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-153357   Applicant：東京エレクトロン株式会社, 後藤尚久, 安藤真, 高田潤一, 堀池靖浩