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J-GLOBAL ID：200903023557831717

成膜方法及び成膜装置

Inventor：
関 整爾

About 関 整爾

, 
阿川 義昭

About 阿川 義昭

, 
沈 国華

About 沈 国華


Applicant, Patent owner：
株式会社アルバック

About 株式会社アルバック


Agent (1)： 阿部 英樹 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001198583
Publication number (International publication number)：2003055768
Application date： Jun. 29, 2001
Publication date： Feb. 26, 2003
Summary：
【要約】【課題】導電性の表面を有する基板上にグラファイト系の薄膜を層状に形成する技術を提供する。【解決手段】本発明の成膜装置1は、所定の反応ガスを導入可能に構成された真空槽2を有し、この真空槽2内に、所定の方向の交流電界を発生するように構成された電界発生手段6を備える。電界発生手段6は、矩形環状のコア60と、コア60に巻回されたコイル9とを有する。コイル9に対して高周波電力を印加することによって基板50に沿う方向の交流電界を発生させて基板50に印加する。
Claim (excerpt)：
真空中で化学気相反応によって成膜対象物に膜を形成する成膜方法であって、前記成膜対象物に対し、当該成膜対象物に沿って交流電界を印加することを特徴とする成膜方法。
IPC (3)：
C23C 16/44 ,  C01B 31/02 101 ,  B82B 3/00
FI (3)：
C23C 16/44 A ,  C01B 31/02 101 F ,  B82B 3/00
F-Term (15)：
4G046CA01 ,  4G046CB01 ,  4G046CB03 ,  4G046EB13 ,  4G046EC03 ,  4G046GA01 ,  4K030BA27 ,  4K030BA28 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030JA14 ,  4K030JA17 ,  4K030JA18 ,  4K030KA15 ,  4K030KA20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 特開平2-219218
  • 特開平3-146673
  • プラズマ気相成長装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-238529   Applicant：日本電気株式会社
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