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J-GLOBAL ID：200903023576137988

エッチング装置及びその運転方法

Inventor： 三谷 克彦
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997166888
Publication number (International publication number)：1999016888
Application date： Jun. 24, 1997
Publication date： Jan. 22, 1999
Summary：

【要約】【解決手段】エッチング処理室100内にステージ電極102とガス供給電極103が対向して設置されており,ガス供給電極103のガス供給面は第1のガス供給領域200,第2のガス供給領域201,及び第3のガス供給領域202に分かれており,各々に対応して第1のガス流量制御系107,第2のガス流量制御系108,及び第3のガス流量制御系109を用いて個別に制御している。前記第1のガス供給領域200,第2のガス供給領域201,及び第3のガス供給領域202より,エッチングガスの流量及び電離電圧の異なるガスの流量比を最適化してガス供給を行う。【効果】本発明を用いると、平行平板電極式RIE装置を用いて12インチ以上の大口径ウェハに対して均一なエッチング処理が可能になる。特にULSIの酸化ケイ素膜エッチング工程で下地にある窒化ケイ素膜をエッチング・ストッパー層として用いる自己整合的なコンタクト孔の形成プロセス等に適用できる。

Claim (excerpt)：

真空処理室内に設けられた試料搭載を兼ねた第1の電極と,該第1の電極に対向して設置された第2の電極とに各々独立に高周波電力を印加する手段を備え,該両電極の間隔が1〜10cm程度の範囲内で制御可能であり,前記第2の電極面よりエッチングガスが供給され,該エッチングガスの供給系統が第2の電極面を複数の領域に独立して分割された構成としたことを特徴とするエッチング装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• ドライエッチング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-329455   Applicant：株式会社日本自動車部品総合研究所, 日本電装株式会社
• プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-211652   Applicant：富士通株式会社