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J-GLOBAL ID：200903023580461366

薄膜赤外線センサ

Inventor： 冨田 勝彦 ,  高松 修司 ,  中西 剛 ,  野村 聡 ,  富永 浩二 ,  田辺 裕貴
Applicant, Patent owner： 株式会社堀場製作所
Agent (1)： 藤本 英夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995267682
Publication number (International publication number)：1997089651
Application date： Sep. 20, 1995
Publication date： Apr. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】 感度が良好で、しかも、膜が剥離したりせず、基板の加工の容易な薄膜赤外線センサを提供すること。【解決手段】 基板1の表面に強誘電体薄膜4を形成してなる薄膜赤外線センサSにおいて、前記基板1としてシリコン基板を用い、このシリコン基板1と前記強誘電体薄膜4との間に酸化アルミニウム薄膜2を形成している。

Claim (excerpt)：

基板の表面に強誘電体薄膜を形成してなる薄膜赤外線センサにおいて、前記基板としてシリコン基板を用い、このシリコン基板と前記強誘電体薄膜との間に酸化アルミニウム薄膜を形成したことを特徴とする薄膜赤外線センサ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 赤外線センサ、その製法および赤外線検知装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-038072   Applicant：株式会社オプテックディディ・メルコ・ラボラトリー, 三菱電機株式会社
• 強誘電体薄膜素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-035243   Applicant：株式会社村田製作所