光学活性三級ホスフィン化合物、これを配位子とする金属錯体およびその用途

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：小林浩 , 片山英二 , 鈴木康仁
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006142601
Publication number (International publication number)：2007314433
Application date： May. 23, 2006
Publication date： Dec. 06, 2007
Summary：

【課題】高い光学収率をもたらすことができる不斉触媒として利用できる配位子、それを配位子とする金属錯体、それらを利用する光学活性化合物の製造方法などを提供する。【解決手段】三級ホスフィンの近傍に、光学活性中心を有する複数の配位性基が導入されている光学活性ホスフィン化合物を配位子とする金属錯体を不斉触媒として用いることにより、目的とする光学活性化合物を高い不斉収率で製造することができる。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

一般式(1)

IPC (5)：

C07F 9/50 , C07F 1/08 , C07B 53/00 , C07C 49/213 , C07C 45/69

FI (5)：

C07F9/50 , C07F1/08 C , C07B53/00 B , C07C49/213 , C07C45/69

F-Term (21)：

4H006AA01 , 4H006AA02 , 4H006AA03 , 4H006AB40 , 4H006AC21 , 4H006AC44 , 4H006AC52 , 4H006AC81 , 4H039CA19 , 4H039CF10 , 4H039CF40 , 4H048AA01 , 4H048AA03 , 4H048AB40 , 4H048VB10 , 4H050AA01 , 4H050AA03 , 4H050AB40 , 4H050WB13 , 4H050WB14 , 4H050WB21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

フェロセニル配位子及び前記配位子の製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2004-501424 Applicant：デグサアクチエンゲゼルシャフト
銅触媒によるエナンチオ選択性アリル位置換反応
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-567486 Applicant：アベシア・リミテッド
接触水素化法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2002-526727 Applicant：フイルメニツヒソシエテアノニム