Pat
J-GLOBAL ID:200903019312822774

接触水素化法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (4): 矢野 敏雄 ,  山崎 利臣 ,  久野 琢也 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2002526727
Publication number (International publication number):2004509087
Application date: Sep. 11, 2001
Publication date: Mar. 25, 2004
Summary:
式(II):[Ru(L)m(L’)wXY][式中、XおよびYは、同時にまたは独立して、水素原子またはハロゲン原子、ヒドロキシ基、またはアルコキシ、カルボキシルまたは他のアニオン性基を表し、mは、1または2であり、mが1のときwは1であり、mが2のときwは0であり、Lは、ホスフィノ-アミンまたはホスフィノ-イミン二座配位子であり、L’は、ジホスフィンである]の触媒は、炭素-ヘテロ原子二重結合を有する基質を水素化するのに有用である。
Claim (excerpt):
分子水素(H2)を用いて錯体および塩基の存在下に基質のC=OまたはC=N二重結合を相当の水素化化合物へ水素化する方法において、前記錯体が、式(II): [Ru(L)m(L’)wXY] (II) [式中、 XおよびYは、同時にまたは独立して、水素またはハロゲン原子、ヒドロキシ基あるいはC1〜C8-アルコキシまたはアシルオキシ基を表し、 mは、1または2であり、 mが1のときwは1であり、mが2のときwは0であり; Lは、一般式:
IPC (12):
C07C29/145 ,  B01J31/22 ,  C07C31/10 ,  C07C31/125 ,  C07C33/025 ,  C07C33/12 ,  C07C33/14 ,  C07C33/20 ,  C07C33/22 ,  C07F9/50 ,  C07F9/655 ,  C07F17/02
FI (12):
C07C29/145 ,  B01J31/22 Z ,  C07C31/10 ,  C07C31/125 ,  C07C33/025 ,  C07C33/12 ,  C07C33/14 ,  C07C33/20 ,  C07C33/22 ,  C07F9/50 ,  C07F9/655 ,  C07F17/02
F-Term (26):
4G069AA02 ,  4G069AA08 ,  4G069BA27A ,  4G069BA27B ,  4G069BC70A ,  4G069BC70B ,  4G069BE13A ,  4G069BE13B ,  4G069BE25A ,  4G069BE25B ,  4G069CB02 ,  4H006AA01 ,  4H006AA02 ,  4H006AB40 ,  4H006AC41 ,  4H006BA23 ,  4H006BA48 ,  4H006BE20 ,  4H006FC22 ,  4H006FC52 ,  4H006FE11 ,  4H039CA60 ,  4H039CB20 ,  4H039CF30 ,  4H050AA01 ,  4H050AB40
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (16)
Show all
Article cited by the Patent:
Return to Previous Page