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J-GLOBAL ID：200903023676187770

半導体装置及びその製造方法

Inventor：
加藤 晃次

About 加藤 晃次


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992149519
Publication number (International publication number)：1993343615
Application date： Jun. 09, 1992
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 誘電体が二つの電極によって挟まれた構造を有するキャパシタが、能動素子の形成された同一半導体基板上に集積された半導体装置において、一定容量を保持したままキャパシタの占有面積を縮小し、誘電率等のキャパシタ特性の、印加電圧方向による差異を無くし、さらに製造工程を削減することによって、高密度・高性能な半導体装置を低コストに提供する。【構成】 キャパシタの誘電体110と電極112,113の接する面が、半導体基板101に垂直であり、また、キャパシタの電極が2つ同時に、しかも誘電体より前に形成され、また、誘電体の全部もしくは一部が基板上の配線層107のボンディング・パッド以外の全部または一部分を覆つている。
Claim (excerpt)：
誘電体が二つの電極によって挟まれた構造を有するキャパシタが、能動素子の形成された同一半導体基板上に集積された半導体装置において、前記二つの電極の有するキャパシタンスに寄与する面のうち全て、もしくは一部が、半導体基板の主面と垂直、もしくは45度以上の角をなして配置されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
H01L 27/04 ,  H01L 27/108 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (2)：
H01L 27/10 325 M ,  H01L 29/78 371
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
  • 特開平2-023657
  • 特開平3-293775
  • 特開平4-078098
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