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J-GLOBAL ID：200903023693048163

窒化物半導体レーザ素子の光共振面の形成方法

Inventor： 杉本 康宜
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995022848
Publication number (International publication number)：1996222807
Application date： Feb. 10, 1995
Publication date： Aug. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】 サファイア基板の上に成長させた窒化物半導体層から光共振面となるような劈開面を形成して、レーザ素子を実現する。【構成】 サファイア基板の上に少なくとも窒化物半導体よりなるn型層と、活性層と、p型層とが順に積層されたウェーハから窒化物半導体レーザ素子の光共振面を形成する方法であって、前記p型層側を活性層に達しない深さでエッチングして第一の割り溝を形成する工程と、積層された窒化物半導体層面と対向するサファイア基板側に第二の割り溝を形成する工程と、前記第一の割り溝、および前記第二の割り溝に沿ってウェーハを割り、割った窒化物半導体層面を光共振面とする工程とを備える。

Claim (excerpt)：

サファイア基板の上に少なくとも窒化物半導体よりなるn型層と、活性層と、p型層とが順に積層されたウェーハから窒化物半導体レーザ素子の光共振面を形成する方法であって、前記p型層側を活性層に達しない深さでエッチングして第一の割り溝を形成する工程と、積層された窒化物半導体層面と対向するサファイア基板側に第二の割り溝を形成する工程と、前記第一の割り溝、および前記第二の割り溝に沿ってウェーハを割り、割った窒化物半導体層面を光共振面とする工程とを備えることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子の光共振面の形成方法。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの切断方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-092403   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 特開平4-262589
  
• 特開平2-033948