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J-GLOBAL ID：200903023697267897

成膜方法、前処理方法および成膜システム

Inventor：
成嶋 健索

About 成嶋 健索

, 
若林 哲

About 若林 哲


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 高山 宏志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005113373
Publication number (International publication number)：2006294861
Application date： Apr. 11, 2005
Publication date： Oct. 26, 2006
Summary：
【課題】 混載デバイスに対しても、前処理によって接合部位の自然酸化膜を確実に除去し、抵抗上昇を生じさせない成膜方法を提供する。【解決手段】 被処理体に露出したSi含有部表面に金属含有膜を成膜する成膜方法は、Si含有部分の表面を、高周波を用いたプラズマにより物理的に処理する物理的表面処理工程と、プラズマによる処理が施されたSi含有部分の表面を反応性ガスにより化学的に処理する化学的表面処理工程と、化学的表面処理が施されたSi含有部分上に金属含有膜を成膜する成膜工程と、を具備する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
被処理体上に露出したSi含有部分の表面に金属含有膜を成膜する成膜方法であって、 前記Si含有部分の表面を、高周波を用いたプラズマにより物理的に処理する物理的表面処理工程と、 前記プラズマによる物理的表面処理が施されたSi含有部分の表面を反応性ガスにより化学的に処理する化学的表面処理工程と、 前記化学的表面処理が施されたSi含有部分の上に金属含有膜を成膜する成膜工程と、 を具備することを特徴とする、成膜方法。
IPC (4)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52
FI (3)：
H01L21/90 C ,  H01L21/28 A ,  H01L21/88 Q
F-Term (55)：
4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB24 ,  4M104BB25 ,  4M104BB26 ,  4M104BB27 ,  4M104CC01 ,  4M104DD22 ,  4M104DD23 ,  4M104DD43 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104DD86 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104HH15 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH15 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ15 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ20 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ25 ,  5F033JJ26 ,  5F033JJ27 ,  5F033JJ29 ,  5F033JJ30 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033KK25 ,  5F033MM05 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP04 ,  5F033PP06 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ78 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ93 ,  5F033QQ94 ,  5F033WW08 ,  5F033XX09
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 成膜方法および成膜装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-241836   Applicant：東京エレクトロン株式会社
  • 成膜方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-291667   Applicant：東京エレクトロン株式会社
Cited by examiner (3)

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