半導体装置の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995238330
Publication number (International publication number)：1997082915
Application date： Sep. 18, 1995
Publication date： Mar. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】リ-ク電流が小さく、誘電率が高い、極薄の高誘電体膜をキャパシタ絶縁膜として使用した半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】第1の導電体電極としてのRu膜11上に誘電体膜としてチタン酸バリウムストロンチウム膜12を形成し、チタン酸バリウムストロンチウム膜12の結晶化温度以上の温度で酸素雰囲気中の熱処理を行った後、チタン酸バリウムストロンチウム膜12上に第2の導電体電極として窒化膜チタン膜14を形成する。

Claim (excerpt)：

少なくとも表面がルテニウムを主成分とする第1の導電体電極上に誘電体膜を形成する工程と、前記誘電体膜の結晶化温度以上の温度の酸化性雰囲気中で熱処理を行う工程と、前記誘電体膜上に第2の導電体電極を形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2)：

H01L 27/10 651 , H01L 27/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

誘電体薄膜素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-108628 Applicant：シャープ株式会社

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