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J-GLOBAL ID：200903066289364362

誘電体薄膜素子及びその製造方法

Inventor： 牛久保 真帆 ,  伊藤 康幸
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994108628
Publication number (International publication number)：1995183397
Application date： May. 23, 1994
Publication date： Jul. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 薄膜化が容易であると共にリーク電流密度が小さく、絶縁耐圧が向上した誘電体薄膜素子の提供。【構成】 少なくとも電極と誘電体薄膜からなる誘電体薄膜素子であって、前記誘電体薄膜が複数の層からなる積層体であり、該積層体が揮発性元素を含む同一種類の元素からなり、前記複数の誘電体薄膜層のうちの少なくとも1層に含まれる揮発性元素の含有量が他の誘電体薄膜層に含まれる揮発性元素の含有量と異なることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

少なくとも電極と誘電体薄膜からなる誘電体薄膜素子であって、前記誘電体薄膜が複数の層からなる積層体であり、該積層体が揮発性元素を含む同一種類の元素からなり、前記複数の誘電体薄膜層のうちの少なくとも1層に含まれる揮発性元素の含有量が他の誘電体薄膜層に含まれる揮発性元素の含有量と異なることを特徴とする誘電体薄膜素子。

IPC (10)：

H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 37/02 ,  H01L 41/08

FI (4)：

H01L 27/10 325 J ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 41/08 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 強誘電体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-001444   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 誘電体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-174116   Applicant：セイコーエプソン株式会社