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J-GLOBAL ID：200903023747438337

固体撮像デバイスおよびその製造方法

Inventor： 菰口 徹哉
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005220937
Publication number (International publication number)：2007036118
Application date： Jul. 29, 2005
Publication date： Feb. 08, 2007
Summary：

【課題】セル分離絶縁層の占有面積を増大させることなく、固体撮像デバイスのセル間絶縁特性を向上させる。 【解決手段】半導体基板2に形成されている第1半導体領域3と、第1半導体領域3内の受光面側に形成され、信号電荷を蓄積するための第2半導体領域5と、第1半導体領域3の受光面から基板深さ方向に形成され、内部に絶縁物が充填されているセル分離用のトレンチ溝4と、トレンチ溝4の底部から、さらに基板深さ方向にかけて形成されているセル分離用の第3半導体領域13とを有し、第3半導体領域13は、第2半導体領域5より基板深さ方向に離れ、トレンチ溝4に接して形成されている。 【選択図】図1

Claim (excerpt)：

互いにセル分離された画素セルが撮像領域内で繰り返し配列されている固体撮像デバイスであって、 半導体基板に形成されている第1半導体領域と、 前記第1半導体領域内の受光面側に形成され、信号電荷を蓄積するための第2半導体領域と、 前記第1半導体領域の受光面から基板深さ方向に形成され、内部に絶縁物が充填されているセル分離用のトレンチ溝と、 前記トレンチ溝の底部から、さらに基板深さ方向にかけて形成されているセル分離用の第3半導体領域と、を有し、 前記第3半導体領域は、前記第2半導体領域より基板深さ方向に離れ、前記トレンチ溝に接して形成されている 固体撮像デバイス。

IPC (1)：

H01L 27/146

FI (1)：

H01L27/14 A

F-Term (12)：

4M118AA01 ,  4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA13 ,  4M118BA14 ,  4M118EA01 ,  4M118EA15 ,  4M118EA16 ,  4M118EA20 ,  4M118FA19 ,  4M118FA27

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 固体撮像素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-238679   Applicant：ソニー株式会社