MIS型電界効果トランジスタ及びこれの製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大胡典夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001094052
Publication number (International publication number)：2002299607
Application date： Mar. 28, 2001
Publication date： Oct. 11, 2002
Summary：

【要約】【課題】物理膜厚をかせげる金属酸化物をゲート絶縁膜として用いてもゲート電極からの不純物や金属原子の拡散を防ぐことが可能となり、フラットバンド電圧シフトや移動度の低下を抑制することが可能なMIS型電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】シリコン基板101と、シリコン基板101上に形成された少なくとも一部に窒素を含有する金属酸化物からなるゲート絶縁膜103と、ゲート絶縁膜103上に形成されたゲート電極104とを具備し、ゲート絶縁膜103のうちシリコン基板との界面近傍の窒素含有量がゲート絶縁膜103の他の部分よりも低いことを特徴とするMIS型電界効果トランジスタ。

Claim (excerpt)：

シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成された少なくとも一部に窒素を含有する金属酸化物膜または金属酸窒化物膜からなるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを具備し、前記金属酸化物膜または金属酸窒化物膜のうち前記シリコン基板との界面近傍の窒素含有量が前記ゲート絶縁膜の他の部分よりも低いことを特徴とするMIS型電界効果トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/78 , H01L 21/283 , H01L 21/318

FI (3)：

H01L 21/283 C , H01L 21/318 C , H01L 29/78 301 G

F-Term (63)：

4M104BB01 , 4M104CC05 , 4M104EE03 , 4M104EE12 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF18 , 4M104GG08 , 4M104HH04 , 5F058BA01 , 5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BC04 , 5F058BF02 , 5F058BF12 , 5F058BF17 , 5F058BF22 , 5F058BF23 , 5F058BF24 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BH03 , 5F058BH04 , 5F140AA06 , 5F140AA19 , 5F140AA24 , 5F140AA28 , 5F140AA39 , 5F140BA01 , 5F140BA20 , 5F140BD01 , 5F140BD04 , 5F140BD07 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD15 , 5F140BD17 , 5F140BE05 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE13 , 5F140BE15 , 5F140BE17 , 5F140BE19 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BF10 , 5F140BG08 , 5F140BG14 , 5F140BG28 , 5F140BG52 , 5F140BJ01 , 5F140BJ05 , 5F140BJ23 , 5F140BK13 , 5F140BK25 , 5F140BK29 , 5F140CB04 , 5F140CC03 , 5F140CC12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

改良型薄膜誘電体を使用して電界効果デバイスおよびコンデンサを製造する方法および得られるデバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-107329 Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
集積回路に電界効果デバイスを製造する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-200828 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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