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J-GLOBAL ID：200903023806143788

整流ダイオ-ド

Inventor：
若田部 勝

About 若田部 勝

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石田 純一

About 石田 純一

, 
渋川 昭彦

About 渋川 昭彦


Applicant, Patent owner：
新電元工業株式会社

About 新電元工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994311193
Publication number (International publication number)：1996148699
Application date： Nov. 21, 1994
Publication date： Jun. 07, 1996
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 本発明はダイオ-ドの諸特性(逆方向電圧、順方向電圧、逆方向回復時間、ピ-ク逆電圧、ソフトリカバリ-等)の改善を図った整流用ダイオ-ドを提供することである。【構成】 N型伝導の高抵抗i層2の表面に深さXpを持つP型伝導のP領域を複数(3-1〜3-3)形成してなる整流性PN接合と、ショットキ-バリア-接合が交互に配列されており、P領域(3-1〜3-3)に接して深さ方向に厚さWiの高抵抗i層2、さらに、低抵抗N+層1の順序に配列された構造を持つシリコン整流ダイオ-ドにおいて、高抵抗i層2が低抵抗N+層1に接した領域に、バッファN層4を形成すると共に、前記深さXpのPN接合を含む領域のキャリア-ライフタイムを最も短くし、前記高抵抗i層2においてPN接合から離れた前記低抵抗N+領域1に至る方向に向かってキャリア-ライフタイムが長くなる分布をしている構造を特徴とする。
Claim (excerpt)：
N型伝導の高抵抗i層の表面に深さXpを持つP型伝導のP領域を複数形成してなる整流性PN接合と、ショットキ-バリア-接合が交互に配列されており、P領域に接して深さ方向に厚さWiの高抵抗i層、さらに、低抵抗N+層の順序に配列された構造を持つシリコン整流ダイオ-ドにおいて、高抵抗i層が低抵抗N+層に接した領域に、バッファN層を形成すると共に、前記深さXpのPN接合を含む領域のキャリア-ライフタイムを最も短くし、前記高抵抗i層においてPN接合から離れた前記低抵抗N+領域に至る方向に向かってキャリア-ライフタイムが長くなる分布をしている構造を特徴とする整流ダイオ-ド。
IPC (2)：
H01L 29/861 ,  H01L 29/872
FI (3)：
H01L 29/91 J ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/91 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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