基板から分離された窒化ガリウムの膜をエピタキシーにより製造する方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：吉武賢次 , 中村行孝 , 紺野昭男 , 横田修孝 , 高村雅晴
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2004508396
Publication number (International publication number)：2005527978
Application date： May. 28, 2003
Publication date： Sep. 15, 2005
Summary：

本発明は、欠陥密度レベルの減少した、エピタキシーによる窒化ガリウム膜の製造に関する。それは、GaNのエピタキシャル付着により窒化ガリウム(GaN)膜を製造するための方法に関する。本発明は、それが少くとも1ステップのエピタキシャル横方向成長を含んでなり、それがGaN基板への直接的イオン注入による脆化でその基板からGaN層の一部を分離させるステップを含んでなることで特徴付けられる。本発明は、上記方法で得られる膜、並びに該窒化ガリウム膜を備えた光電子および電子部品にも関する。

Claim (excerpt)：

エピタキシーによるGaNの付着により、基板を用いて窒化ガリウム(GaN)の膜を製造する方法であって、GaNの付着が少くとも1ステップのエピタキシャル横方向成長(ELO)を含んでなり、かつ、直接的にGaNの層でイオン注入により弱化させることにより基板からGaNの層の一部を分離させるステップを含んでなる方法。

IPC (5)：

H01L21/20 , C30B29/38 , H01L21/205 , H01L21/265 , H01S5/323

FI (5)：

H01L21/20 , C30B29/38 D , H01L21/205 , H01L21/265 601Q , H01S5/323 610

F-Term (41)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077CF01 , 4G077DA02 , 4G077DB04 , 4G077DB05 , 4G077DB08 , 4G077EB01 , 4G077EE07 , 4G077FJ03 , 4G077QA01 , 4G077QA27 , 4G077QA43 , 4G077QA71 , 4G077TB02 , 4G077TB03 , 4G077TB05 , 4G077TC16 , 4G077TK11 , 5F045AA04 , 5F045AA18 , 5F045AB14 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045BB12 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045HA15 , 5F052JA07 , 5F052JA08 , 5F052KA01 , 5F052KA06 , 5F173AH22 , 5F173AH44 , 5F173AP03 , 5F173AP05 , 5F173AP19 , 5F173AP54 , 5F173AR82

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-052573 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-143826 Applicant：酒井士郎, ナイトライド・セミコンダクター株式会社
液相成長法、半導体部材の製造方法、太陽電池の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-265673 Applicant：キヤノン株式会社

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