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J-GLOBAL ID：200903031593308276

窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法

Inventor：
酒井 士郎

About 酒井 士郎


Applicant, Patent owner：
酒井 士郎

About 酒井 士郎

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ナイトライド・セミコンダクター株式会社

About ナイトライド・セミコンダクター株式会社


Agent (1)： 吉田 研二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000143826
Publication number (International publication number)：2001326384
Application date： May. 16, 2000
Publication date： Nov. 22, 2001
Summary：
【要約】【課題】 結晶性に優れた窒化ガリウム系化合物半導体を製造する。【解決手段】 基板10上にSiNバッファ体を離散的に形成し、その上に低温でGaNバッファ層、高温でGaN半導体層16を形成する。SiNバッファ体を離散的に形成することで、低温バッファ層の基板に依存した結晶成長を阻害し、GaNバッファ層16成長時の種結晶となる単結晶化を促進する。また、基板10上に離散的にSiO230を形成し、GaN半導体層16同士をSiO230上で会合させることでその歪みを緩和する。
Claim (excerpt)：
基板上にバッファ層を低温で成長させ、さらに前記バッファ層上にGaN系化合物半導体を形成する窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法において、前記バッファ層の形成に先立ち、前記基板上に離散的に結晶核発生阻害層を形成し、かつ、前記離散的に結晶核発生阻害層が形成された基板上に離散的にバッファ体を形成することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/20
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/20
F-Term (16)：
5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F052AA11 ,  5F052CA01 ,  5F052DA04 ,  5F052DB01 ,  5F052EA11 ,  5F052GB02 ,  5F052GC06 ,  5F052HA08 ,  5F052JA10
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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