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J-GLOBAL ID：200903023868996744

スイッチング素子

Inventor： 井上 公 ,  秋永 広幸 ,  保田 周一郎 ,  高木 英典
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Agent (3)： 清水 初志 ,  新見 浩一 ,  刑部 俊
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005235131
Publication number (International publication number)：2007053125
Application date： Aug. 15, 2005
Publication date： Mar. 01, 2007
Summary：

【課題】大きく異なる2つの安定した抵抗特性を可逆的かつ反復的に示す、高度集積化した不揮発性メモリへ適用可能なスイッチング素子の提供。【解決手段】2つの電極間に、組成揺らぎを含む単一中心金属元素からなる金属酸化物薄膜が介在した可変抵抗素子を備え、該両電極間に、第1の閾値以上の電圧又は電流と、該第1の閾値の絶対値よりもその絶対値が小さい第2の閾値以下の電圧又は電流と、該第2の閾値の絶対値よりもその絶対値が小さい第3の閾値以下の電圧又は電流とを選択的に印加可能な制御回路と接続し、その絶対値が少なくとも第3の閾値以下の電位域又は電流域における電極間の抵抗特性を可逆的に1000〜10000倍変化せしめることを特徴とする、スイッチング素子。【選択図】 図3

Claim (excerpt)：

2つの電極間に、組成揺らぎを含む単一中心金属元素からなる金属酸化物薄膜が介在した可変抵抗素子を備え、該両電極間に、第1の閾値以上の電圧又は電流と、該第1の閾値の絶対値よりもその絶対値が小さい第2の閾値以下の電圧又は電流と、該第2の閾値の絶対値よりもその絶対値が小さい第3の閾値以下の電圧又は電流とを選択的に印加可能な制御回路と接続し、その絶対値が少なくとも第3の閾値以下の電位域又は電流域における電極間の抵抗特性を可逆的に1000〜10000倍変化せしめることを特徴とする、スイッチング素子。

IPC (4)：

H01L 49/02 ,  H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (4)：

H01L49/02 ,  H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z

F-Term (6)：

5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083PR04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 一つのスイッチング素子と一つの抵抗体とを含む不揮発性メモリ装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-164659   Applicant：三星電子株式会社