接続孔の形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小池晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996029599
Publication number (International publication number)：1997050986
Application date： Feb. 16, 1996
Publication date： Feb. 18, 1997
Summary：

【要約】【課題】 SiNエッチング停止膜7を用いる自己整合コンタクト・プロセスにおいて、選択比確保に必要なフルオロカーボン(FC)系保護膜11を後工程で十分に除去し、コンタクト不良やゲート電極3と上層配線との短絡を防止する。【解決手段】レジスト・パターン9をマスクとし、フルオロカーボン系ガスを用いてSiOx層間絶縁膜8をドライエッチングすると、SiNエッチング停止膜7の表面にFC系保護膜11が堆積してエッチングの進行が事実上停止する。そこで、O2 プラズマ処理を行ってFC系保護膜11を除去した後にSiNエッチング停止膜7の露出部を選択的にドライエッチングし、コンタクトホール10を完成させる。FC系保護膜11の除去と同時にレジスト・パターン9の全体を除去しても良い。

Claim (excerpt)：

基板上にSiN系材料からなるエッチング停止膜とSiOx系材料からなる層間絶縁膜とをこの順に積層する第1工程と、前記層間絶縁膜の上に接続孔パターンにならった有機膜パターンを形成する第2工程と、前記有機膜パターンをマスクとし、前記エッチング停止膜に対して選択比を確保しながら前記層間絶縁膜をドライエッチングする第3工程と、前記ドライエッチングに伴って前記エッチング停止膜の露出面上に堆積したカーボン系保護膜を酸素系化学種の関与するエッチング反応系を用いて除去する第4工程と、前記エッチング停止膜を選択的にエッチングして接続孔を完成させる第5工程とを有する接続孔の形成方法。

IPC (6)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , C30B 33/12 , H01L 21/28 , H01L 21/768 , H05H 1/46

FI (9)：

H01L 21/302 F , C23F 4/00 C , C23F 4/00 D , C23F 4/00 E , C30B 33/12 , H01L 21/28 L , H05H 1/46 C , H01L 21/302 A , H01L 21/90 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

ドライエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-060755 Applicant：ソニー株式会社
プラズマ処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-258614 Applicant：ソニー株式会社
特開昭61-292323

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