プラズマ処理方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小池晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993258614
Publication number (International publication number)：1995115085
Application date： Oct. 15, 1993
Publication date： May. 02, 1995
Summary：

【要約】【目的】単極式静電チャック1の残留電荷を、プラズマ処理の結果に悪影響を与えず迅速に除去する。【構成】有磁場マイクロ波プラズマ・エッチング装置内でエッチングを終了後、内部電極3から直流電源6を切り離し、絶縁部材2に残留する電荷をプラズマPを通じて除去する際に、RF電源11によるウェハ載置電極7への基板バイアス印加を継続させておく。残留電荷除去プロセスがオーバーエッチングを兼ねていても良い。【効果】イオン・シースSからの実効的なイオン入射が残留電荷の正負に応じて自動的に調整され、残留電荷除去時間が短縮される。従来法のように内部電極へ逆極性の直流電圧を印加しないので、逆電荷の誘起によるウェハWの再吸着が生じない。基板バイアス印加により所定のイオン入射エネルギーが確保されるので、残留電荷除去中にも異方性形状が劣化しない。

Claim (excerpt)：

基板バイアス印加手段を備えたプラズマ処理装置のプラズマ・チャンバ内で単極式静電チャックを備えた基板ステージ上に基板を吸着させ、処理ガスのプラズマを用いて該基板に対し所定のプラズマ処理を行う第1の工程と、前記単極式静電チャックへの直流電圧印加を停止し、前記チャンバ内に残留電荷除去用ガスのプラズマを生成させ、前記基板ステージに基板バイアスを印加しながら該単極式静電チャックの残留電荷を除去する第2の工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 , H01L 21/205 , H01L 21/68

FI (2)：

H01L 21/302 N , H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

プラズマ処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-059366 Applicant：東京エレクトロン山梨株式会社
特開平3-243188
特開平4-290225

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