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J-GLOBAL ID：200903023967487878

半導体発光素子

Inventor： 西谷 克彦 ,  海野 和美 ,  石川 正行 ,  佐伯 亮 ,  中村 隆文 ,  岩本 昌伸
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995089510
Publication number (International publication number)：1996288544
Application date： Apr. 14, 1995
Publication date： Nov. 01, 1996
Summary：

【要約】【目的】 この発明は、高輝度でかつ長寿命の半導体発光素子を提供することを目的とする。【構成】 この発明は、半導体基板1に形成された活性層6を挟んでダブルヘテロ接合を形成する両クラッド層4,5,7,8は2層化されたInGaAlP混晶からなり、活性層6のアルミニウム混晶比uと活性層6と接する第1のクラッド層5,7のアルミニウム混晶比yと第1のクラッド層5,7と積層する第2のクラッド層4,8のアルミニウム混晶比xとは、u:y:x=3:6,7又は8:10に設定されて構成される。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された、単層あるいは多層からなる第1のクラッド層と、前記第1のクラッド層表面に形成された第2のクラッド層と、前記第2のクラッド層表面に形成された活性層と、前記活性層表面に形成された第3のクラッド層と、前記第3のクラッド層表面に形成された、単層あるいは多層からなる第4のクラッド層とを具備し、前記第2のクラッド層のアルミニウム混晶比は、前記活性層のアルミニウム混晶比よりも大きく、前記第1のクラッド層のアルミニウム混晶比よりも小さく、かつ前記第3のクラッド層のアルミニウム混晶比は、前記活性層のアルミニウム混晶比よりも大きく、前記第4のクラッド層のアルミニウム混晶比よりも小さいことを特徴とする半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平2-151085
  
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-157219   Applicant：日亜化学工業株式会社