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J-GLOBAL ID：200903023986377668

レーザ照射装置およびレーザ照射方法

Inventor： 奥村 展 ,  杉岡 幸次
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社 ,  理化学研究所
Agent (1)： 金田 暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000017112
Publication number (International publication number)：2001210591
Application date： Jan. 26, 2000
Publication date： Aug. 03, 2001
Summary：

【要約】【課題】粒径分布が均一で、かつ粒子の配列状態が良好な大粒径多結晶半導体膜を目的の場所に位置精度良く形成し得るレーザ照射技術を提供すること。【解決手段】非晶質半導体薄膜の微結晶化エネルギーをEuとして、レーザ光の照射領域中の一方向に沿ったエネルギー密度分布を、エネルギー密度Eu未満の第一の領域と、該第一の領域の両側に位置するエネルギー密度Eu以上の第二の領域とを有するものとする。第一の領域は、たとえば谷形状を有するものとし、その幅は3μm以下、好ましくは1.8μm以下とする。

Claim (excerpt)：

レーザ光を発生させるレーザ光源と、発生したレーザ光のエネルギー分布を調整する手段とを備え、エネルギー分布を調整した後のレーザ光を非単結晶半導体薄膜に照射し多結晶半導体薄膜を形成するレーザ照射装置であって、前記非単結晶半導体薄膜に照射するレーザ光の照射領域中の一方向に沿ったエネルギー密度分布が、非晶質半導体薄膜の微結晶化エネルギーをEuとして、エネルギー密度Eu未満の第一の領域と、該第一の領域の両側に位置するエネルギー密度Eu以上の第二の領域とを有し、前記第一の領域の幅が3μm以下であることを特徴とするレーザ照射装置。

IPC (3)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/265 602 ,  H01L 21/268

FI (3)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/265 602 C ,  H01L 21/268 G

F-Term (11)：

5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052BA07 ,  5F052BA12 ,  5F052BA20 ,  5F052BB07 ,  5F052CA04 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052EA11 ,  5F052JA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• レーザ照射方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-219200   Applicant：日本電気株式会社