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J-GLOBAL ID：200903024030078065

ドライエッチング方法

Inventor： 久田 正浩 ,  片山 克生
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 井内 龍二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992308361
Publication number (International publication number)：1994163475
Application date： Nov. 18, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】【構成】 真空容器内にエッチングガスを導入して発生させたプラズマにより、試料台上に載置した半導体基板上に形成されたレジストによるマスクパターンで覆われたシリコン酸化膜をエッチングするドライエッチング方法において、エッチングガスとしてフルオロカーボンガスとCOとの混合ガスを用いるドライエッチング方法。【効果】 エッチング速度を高くでき、レジスト膜のエッチング速度に対するSiO2膜のエッチング速度の比(エッチング選択比)も高くすることができ、かつエッチング速度等の再現性を良好なものにすることができる。

Claim (excerpt)：

真空容器内にエッチングガスを導入し、発生させたプラズマにより試料台上に載置した半導体基板上に形成されたレジストによるマスクパターンで覆われたシリコン酸化膜をエッチングするドライエッチング方法において、前記エッチングガスとしてフルオロカーボンガスとCOとの混合ガスを用いることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開昭64-025419
  
• 特開平2-001912
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-159044   Applicant：シヤープ株式会社
• 特開平2-290020
  
• 特開昭63-081929
  
• エッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-331077   Applicant：東京エレクトロン株式会社, 株式会社東芝