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J-GLOBAL ID：200903024055163512

化合物半導体薄膜形成方法および太陽電池の製造方法

Inventor： 別府 達郎 ,  佐野 健二 ,  早瀬 修二
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995338878
Publication number (International publication number)：1997181000
Application date： Dec. 26, 1995
Publication date： Jul. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】 大面積の化合物半導体薄膜を容易に形成できる方法、およびこの方法を利用して大面積の太陽電池を製造する方法を提供する。【解決手段】 基板上に、有機金属化合物を有機溶媒に溶解した溶液を塗布した後、非金属元素の水素化物またはその誘導体を含有する還元性雰囲気中で熱処理することにより、有機金属化合物から金属を遊離させるとともに非金属元素水素化物またはその誘導体と反応させて、化合物半導体薄膜を形成する。

Claim (excerpt)：

基板上に、有機金属化合物を有機溶媒に溶解した溶液を塗布した後、非金属元素の水素化物またはその誘導体を含有する還元性雰囲気中で熱処理することにより、前記有機金属化合物から金属を遊離させるとともに前記非金属元素水素化物またはその誘導体と反応させて、化合物半導体薄膜を形成することを特徴とする化合物半導体薄膜形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/20 ,  C23C 18/12 ,  H01L 31/04

FI (4)：

H01L 21/20 ,  C23C 18/12 ,  H01L 31/04 V ,  H01L 31/04 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭61-166983
  
• 特開昭61-166978
  
• 銅インジウム硫化物またはセレン化物の製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-256372   Applicant：日立マクセル株式会社
• AgInS2 粉末およびAgInS2 膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-079014   Applicant：日立マクセル株式会社
• 金属カルコゲナイド化合物超格子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-275572   Applicant：旭化成工業株式会社