薄膜トランジスタ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：則近憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994035140
Publication number (International publication number)：1995245406
Application date： Mar. 07, 1994
Publication date： Sep. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】チャネル長を短くしても駆動能力が高く、高速に動作する薄膜トランジスタを提供することを目的とする。【構成】ガラス基板1上にゲ-ト金属2が形成されている。ガラス基板1およびゲ-ト金属2上にゲ-ト絶縁膜3が形成され、その上のゲ-ト金属2と対応する位置にチャネル領域となるアモルファスシリコン層4が形成され、その両側にソ-ス、ドレイン領域となる、イオンを注入したアモルファスシリコン層7が形成されている。アモルファスシリコン層4上にはチャネル領域となる結晶を含むシリコン層5が形成され、その両側にソ-ス、ドレイン領域となる、イオンを注入した結晶を含むシリコン層8が形成されている。結晶を含むシリコン層5上にはチャネル保護膜6が形成されている。

Claim (excerpt)：

ゲ-ト電極と前記ゲ-ト電極に接して設けられたチャネル領域と前記チャネル領域に接して設けられたソ-ス領域およびドレイン領域と前記ソ-ス領域およびドレイン領域に接して設けられた2つの配線用電極とを備えた薄膜トランジスタにおいて、前記チャネル領域と前記ソ-ス領域およびドレイン領域は非晶質半導体で構成され前記ソ-ス領域およびドレイン領域のうち前記配線用電極と接続する表面部分は結晶を含む半導体で構成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。

FI (2)：

H01L 29/78 311 S , H01L 29/78 311 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

特開昭62-280791
特開昭62-280791
特開平1-183854

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