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J-GLOBAL ID：200903024137441111

静磁波素子

Inventor： 前田 篤志 ,  山野 耕治 ,  梅本 卓史
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 目次 誠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998312199
Publication number (International publication number)：2000138505
Application date： Nov. 02, 1998
Publication date： May. 16, 2000
Summary：

【要約】【課題】 強磁性体2を規則的に配列した不連続膜を静磁波伝搬媒体として用いる静磁波素子において、小型軽量化を図る。【解決手段】 基板1上に強磁性体2を規則的に配列した不連続膜を静磁波伝搬媒体として用い、該不連続膜に所定方向のバイアス磁界Hexを印加する静磁波素子において、強磁性体2の平面形状が、所定方向のバイアス磁界Hexが印加されたときに強磁性体2内で分極を生じにくい形状であることを特徴としている。

Claim (excerpt)：

基板上に強磁性体を規則的に配列した不連続膜を静磁波を励起し伝搬する媒体として用い、該不連続膜に所定方向のバイアス磁界を印加する静磁波素子において、前記強磁性体の平面形状が、前記所定方向のバイアス磁界が印加されたときに該強磁性体内で分極を生じにくい形状であることを特徴とする静磁波素子。

IPC (2)：

H01P 1/215 ,  H01F 10/08

FI (2)：

H01P 1/215 ,  H01F 10/08

F-Term (11)：

5E049AB06 ,  5E049BA29 ,  5E049CB02 ,  5E049DB04 ,  5E049DB14 ,  5E049MC01 ,  5J006HD04 ,  5J006JA01 ,  5J006KA08 ,  5J006LA21 ,  5J006NA08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 静磁波装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-324002   Applicant：株式会社村田製作所
• 特開昭49-017945
  
• 静磁波装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-127964   Applicant：株式会社村田製作所

Cited by examiner (2)

• 静磁波装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-324002   Applicant：株式会社村田製作所
• 特開昭49-017945