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J-GLOBAL ID：200903024147950855

半導体ウェーハの研磨装置およびその製造方法

Inventor： 酒井 慎介 ,  小松 圭 ,  佐藤 平
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアルシリコン株式会社 ,  三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 安倍 逸郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995023503
Publication number (International publication number)：1996192353
Application date： Jan. 17, 1995
Publication date： Jul. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】 大口径のウェーハ表面中心部も十分に平坦に研磨できる研磨装置を提供する。そのウェーハ表面中心部を傷付けずに研磨できる装置を提供する。この装置を安価に得られるその製造方法を提供する。【構成】 所定厚さに研削した後のシリコンウェーハ17をチャック16に保持させ、研磨液(PH=10程度)を供給して回転・研磨を行う。研磨布15は硬質パッド12を主体とし、シリコンウェーハ17の表面を裏面の凹凸とは無関係に平坦に研磨できる。研磨剤は溝13の軟質パッド14に保持させており、大口径のシリコンウェーハ17の中心部表面も周縁部表面と同じく均一に研磨できる。研磨布の製作は、所定寸法の短冊状の硬質パッド片を複数枚用意し、各硬質パッド片を所定間隔空けて定盤の表面にのりで貼り付ける。溝に軟質パッド片を埋め込む。所定時間だけ室温で放置して均一の厚さの研磨布を得る。

Claim (excerpt)：

半導体ウェーハ表面に研磨布を押し付けて研磨する半導体ウェーハの研磨装置において、上記研磨布は、その表面に溝を形成した硬質パッドを有するとともに、この溝の開口側の角部に丸みを形成した半導体ウェーハの研磨装置。

IPC (3)：

B24B 37/00 ,  B24B 37/04 ,  H01L 21/304 321

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平2-036073
  
• 特開平2-232157
  
• 研磨装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-018072   Applicant：ソニー株式会社
• 特開平2-036073
  
• 特開平2-232157