薄膜状半導体装置およびその作製方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994156647
Publication number (International publication number)：1995335906
Application date： Jun. 14, 1994
Publication date： Dec. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】良好な特性を示す薄膜トランジスタ(TFT)を提供する。【構成】絶縁表面上に、400Å以上の厚さの非晶質半導体膜を形成し、それを全面的にもしくは選択的にエッチングして、厚さ300Å以下の領域を形成し、これをTFTのチャネル形成領域として使用する。

Claim (excerpt)：

絶縁表面上に存在し、その上にゲイト電極が形成された部分の厚さが平均で300Å以下の薄膜状の結晶性半導体の活性層を有し、電界効果移動度の最大値が50cm2 /Vs以上であることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (4)：

H01L 29/786 , H01L 21/20 , H01L 27/12 , H01L 21/336

FI (3)：

H01L 29/78 311 H , H01L 29/78 311 Y , H01L 29/78 311 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開昭59-165450
特開昭61-048976
特開平1-194351

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