高周波電力印加装置、プラズマ発生装置、プラズマ処理装置、高周波電力印加方法、プラズマ発生方法及びプラズマ処理方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997001242
Publication number (International publication number)：1997293600
Application date： Jan. 08, 1997
Publication date： Nov. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】プラズマ処理装置において、周波数の高い高周波電力を印可しても、高真空度の圧力下においてプラズマを発生することができ、これにより、高均一で且つ低ダメージのプラズマ処理を高精度に行なうことができるようにする。【解決手段】チャンバー10A内の底部には、被処理物13を保持する下部電極12が絶縁体11を介して設けられている。第1の高周波電源14は、高周波電力をインピーダンス整合器16Aを介して、4本の渦巻き状のコイル部分15aが並列に接続されてなるマルチスパイラルコイル15Aに印加する。各コイル部分15aの1本当たりの長さは、第1の高周波電源14から供給される高周波電力の波長の1/4である。第2の高周波電源17は下部電極12に高周波バイアス電圧を印加する。

Claim (excerpt)：

高周波電力を発生させる高周波電力発生源と、前記高周波電力発生源より発生する高周波電力の波長の1/4のほぼ整数倍の長さを持ち、前記高周波電力発生源から高周波電力を供給されて高周波電流が流れると磁界を発生するコイルと、前記高周波電力発生源と前記コイルとのインピーダンス整合をとるインピーダンス整合器とを備えていることを特徴とする高周波電力印加装置。

IPC (6)：

H05H 1/46 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H01L 21/285 , H01L 21/3065

FI (7)：

H05H 1/46 M , H05H 1/46 R , C23C 16/50 , C23F 4/00 A , H01L 21/205 , H01L 21/285 C , H01L 21/302 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平4-290428
特開平4-230999
プラズマ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-013981 Applicant：東京エレクトロン株式会社

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