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J-GLOBAL ID：200903024168530570

窒化物半導体レーザ素子および光学式情報記録再生装置

Inventor：
山崎 幸生

About 山崎 幸生


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (3)： 佐野 静夫 ,  山田 茂樹 ,  小寺 淳一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002325439
Publication number (International publication number)：2004158800
Application date： Nov. 08, 2002
Publication date： Jun. 03, 2004
Summary：
【課題】高出力まで基本横モードで発振する窒化物半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】対向する2つの共振器面(11,12)に対してほぼ垂直な水平方向光閉じ込めリッジストライプ構造(13)を有する窒化物半導体レーザ素子(10)において、リッジストライプ構造(13)に、前面側の共振器面近傍における幅(W1)よりも0.1μm以上幅(W2)の狭いまたは広い領域を1以上設ける。I-L特性のキンクが抑えられて、高出力まで基本横モードで発振する窒化物半導体レーザ素子が歩留まり良く得られる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
対向する2つの共振器面に対してほぼ垂直な水平方向光閉じ込めリッジストライプ構造を有する窒化物半導体レーザ素子において、 前面側の共振器面近傍におけるリッジストライプ構造の幅W1に対し、|W1-W2|≧0.1μmを満たす幅W2を有する領域が、リッジストライプ構造内に存在することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (1)：
H01S5/22
FI (1)：
H01S5/22
F-Term (15)：
5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA47 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073AA81 ,  5F073AA89 ,  5F073BA05 ,  5F073CA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073EA16 ,  5F073EA24
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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