窒化物半導体レーザ素子

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997352540
Publication number (International publication number)：1999186659
Application date： Dec. 22, 1997
Publication date： Jul. 09, 1999
Summary：

【要約】【目的】単一のNFP、FFPを有し、低閾値でシングルモードのレーザ光を長時間発振させる。【構成】 p側クラッド層は少なくともAlを含む窒化物半導体層を有する超格子よりなり、そのp側クラッド層の一部、若しくは全部に前記リッジストライプが形成されており、さらにそのリッジのストライプ幅の少なくとも一方が共振面に接近するに従って狭くなるように形成されていることにより水平横モードをシングルにすると共に、超格子よりなるn側クラッド層全体の厚さを0.5μm以上として、n側クラッド層に含まれるAl平均組成を百分率(%)で表した際に、n側クラッド層全体の厚さ(μm)とAl平均組成(%)との積が4.4以上となるように構成することにより垂直横モードをシングルにする。

Claim (excerpt)：

基板上にn側クラッド層と、活性層と、p側のクラッド層とを順に有し、活性層よりも上の層に、対向する共振面に対してほぼ垂直なリッジストライプを有する窒化物半導体レーザ素子において、前記p側クラッド層は少なくともAlを含む窒化物半導体層を有する超格子よりなり、そのp側クラッド層の一部、若しくは全部に前記リッジストライプが形成されており、さらにそのリッジのストライプ幅の少なくとも一方が共振面に接近するに従って狭くなるように形成されていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

窒化物半導体の電極
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-102542 Applicant：日亜化学工業株式会社
化合物半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-207204 Applicant：シャープ株式会社
半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-169587 Applicant：日本電信電話株式会社

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