Pat
J-GLOBAL ID：200903024169709990
β-Ga2O3系単結晶成長方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
平田 忠雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003046552
Publication number (International publication number)：2004262684
Application date： Feb. 24, 2003
Publication date： Sep. 24, 2004
Summary：
【課題】大型化、高品質化の基板等に加工しても割れを生じにくいβ-f系単結晶成長方法を提供する。【解決手段】赤外線加熱単結晶製造装置1により、種結晶7と多結晶素材9を互いに反対方向に回転させながら加熱し、a軸<100>方位、b軸<010>方位、およびc軸からa軸に向って結晶学的に決する13.7°傾斜し、a軸とのなす角度90°の方位の中から選択する一の方位にβ-Ga2O3単結晶8を成長させる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
β-Ga2O3系種結晶を準備し、
前記β-Ga2O3系種結晶から所定の方位にβ-Ga2O3系単結晶を成長させることを特徴とするβ-Ga2O3系単結晶成長方法。
IPC (4)：
C30B29/16
, C01G15/00
, C30B13/00
, C30B13/34
C30B29/16
, C01G15/00 H
, C30B13/00
, C30B13/34
4G077AA02
, 4G077AB02
, 4G077BB10
, 4G077CE03
, 4G077EA07
, 4G077ED01
, 4G077ED02
, 4G077NA01
, 4G077NA05
